초슬림폰에 최적화…SK하이닉스 ‘0.85㎜’ 모바일 낸드 개발

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드플래시를 기반으로 한 모바일용 메모리 신제품(사진)을 공개했다. 낸드는 데이터를 담는 셀을 수직으로 여러 층 쌓아 저장 용량을 늘리는 기술이 핵심인데 단수가 높을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 321단 낸드를 탑재한 이번 제품은 초슬림 프리미엄 스마트폰에 탑재할 수 있도록 두께를 15% 줄이는 동시에, 전력 소모는 낮추고 성능은 끌어올렸다.

22일 SK하이닉스는 321단 1Tb(테라비트) 낸드를 적용한 모바일용 저장장치 ‘UFS 4.1’을 개발했다고 밝혔다. 이전 세대인 238단 낸드 기반 제품보다 전력 효율이 7% 개선됐고 랜덤 읽기·쓰기 속도는 각각 15%, 40% 향상됐다.

SK하이닉스는 “모바일에서 온디바이스(On-device) 인공지능(AI)을 안정적으로 구현하려면 탑재되는 메모리 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다”며 개발 배경을 설명했다. 온디바이스 AI는 서버나 클라우드를 거치지 않고 모바일 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술로, 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 핵심이다.

제품 두께는 기존 1㎜에서 0.85㎜로 줄였다. 최근 주요 스마트폰 제조사들이 초슬림폰 경쟁에 돌입하자, 이런 흐름에 발맞춰 메모리 제품도 슬림화한 것이다.

이번 제품은 512GB(기가바이트), 1TB(테라바이트) 두 가지 버전으로 개발됐다. SK하이닉스는 연내 고객사에 제품을 제공해 인증을 진행한 뒤, 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.





이우림([email protected])