SK하이닉스가 18일 차세대 인공지능(AI) 메모리인 7세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E’ 12단 샘플(사진)을 주요 고객사에 공급했다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 메모리 반도체로, 엔비디아 등 AI 가속기의 핵심 부품이다. HBM4E는 현재 양산 준비 중인 HBM4의 후속 제품으로, 엔비디아가 내년 출시할 예정인 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈 울트라’에 탑재될 가능성이 높다.
이번 제품은 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트) 속도를 구현했고 에너지 효율은 HBM4 대비 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 대규모 데이터 처리 성능을 높이는 동시에 전력 소모를 줄인 것이 특징이다.
SK하이닉스는 “최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄였고, 고대역폭 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계했다”고 설명했다.
패키징 기술도 개선했다. HBM4E에는 여러 개의 D램 칩을 적층한 뒤 칩 사이 공간에 보호재를 채워 구조 안정성과 방열 성능을 높이는 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정이 적용됐다. 이를 통해 12단 기준 48GB(기가바이트) 용량을 구현했으며 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 낮췄다.
차세대 HBM 경쟁도 한층 치열해지고 있다. 앞서 삼성전자는 올 3분기로 제시했던 HBM4E 12단 샘플 공급 일정을 앞당긴 데 이어 이달 초 대만에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 HBM5 실물 모형도 공개했다.
업계는 이번 SK하이닉스의 HBM4E 샘플 공개로 HBM4 양산 경쟁이 본격화하기도 전에 차세대 제품 개발과 고객 확보 경쟁에 돌입한 양상이다. SK하이닉스는 HBM3·HBM3E·HBM4를 잇달아 공급하며 HBM 시장 선두를 유지해 왔다. 업계에선 HBM은 안정적인 수율 확보와 대규모 양산 경험이 중요한 만큼, 기존 공급 실적이 HBM4E 시장에서도 강점으로 작용할 것으로 보고 있다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “그동안 축적해 온 업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 지원할 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하고 풀스택 AI 메모리 기업으로서 기술 리더십을 더욱 공고히 해 나가겠다”고 밝혔다.