삼성전자 양산용 최첨단 EUV 도입…파운드리 경쟁력 끌어올린다

삼성전자가 약 1조1000억원을 투자해 내년까지 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 양산용으로 도입한다. 해당 장비를 파운드리(반도체 위탁 생산)에 투입해 최선단 공정의 반도체 생산 경쟁력을 끌어올린다는 계획이다.


15일 업계에 따르면 삼성전자는 ASML의 하이 뉴메리컬어퍼처(High NA) EUV 장비를 2대 도입한다. 1대는 연내에, 나머지 1대는 내년 상반기에 추가로 들여올 계획으로 알려졌다. 그동안 삼성전자는 화성캠퍼스에서 연구개발(R&D)용으로 하이 NA EUV 장비를 운용해왔는데, 양산용 장비를 투입하는 건 이번이 처음이다.

EUV 장비는 웨이퍼 위에 회로를 새기는 노광 공정에 사용된다. 특히 하이 NA EUV 장비는 현존하는 장비 중 가장 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있다. 기존 EUV 장비보다 광학 성능이 40% 향상돼 회로를 1.7배 더 정밀하게 형성하고, 집적도는 2.9배 높일 수 있다. 회로를 더 촘촘하고 정밀하게 그릴수록 저전력·고성능 반도체 생산이 가능해진다.

삼성전자가 들여올 장비는 ‘트윈스캔 EXE:5200B’ 모델로, 기존에 주로 R&D용으로 활용된 ‘EXE:5000’보다 생산성을 높여 양산에 최적화된 장비다. 대당 가격은 5500억원에 달한다. 앞서 지난 7월 인텔에 해당 장비가 처음 출하됐고, SK하이닉스도 지난달 메모리 생산 공정에 투입하기 위해 이천 M16팹(공장)에 반입을 완료했다.


삼성전자는 하이 NA EUV 장비를 2나노(㎚·1㎚=10억 분의 1m) 이하 공정에 투입할 계획이다. 약 22조원 규모로 수주한 테슬라의 차세대 인공지능(AI) 반도체 생산에도 적용될 가능성이 높다. 반면 TSMC는 2나노 공정까지는 기존 EUV 장비로 생산을 이어가고, 1.4나노 공정부터 하이 NA EUV를 일부 활용한다는 계획이다.






이가람([email protected])