30여 년간 아날로그 집적회로 분야 연구를 선도해온 박홍준 POSTECH 교수와 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA) 공정 개발을 주도한 김선정 삼성전자 상무가 ‘강대원상(賞)’을 수상했다. 강대원상은 현대 반도체 기술 혁신의 토대를 마련한 고(故) 강대원 박사를 기리기 위해 제정한 상이다.
한국반도체학술대회 상임운영위원회는 ‘2026년 강대원 상’ 수상자로 회로·시스템 분야에서 박 교수를, 소자·공정 분야에선 김 상무를 각각 선정했다고 28일 밝혔다.
박 교수는 메모리의 고속 칩 간 인터페이스 회로 분야에서 연구를 선도해 온 세계적 석학이다. 고속 데이터 통신, 저전력 설계, 위상 동기화 회로 영역에서 설계 원리를 제시했으며, 이는 이론적 완성도와 실용적 유용성을 동시에 갖췄다는 평가를 받았다.
특히 고속의 데이터 전송이 가능하도록 메모리 인터페이스 분야에서 신호 손실을 보상하는 등화 기술을 세계 최초로 제안하며 차세대 D램 및 시스템온칩(SoC)의 데이터 전송 속도 향상과 저전력화에 기여했다. 삼성전자·SK하이닉스 등 기업들이 메모리 인터페이스 기술 경쟁력을 확보하는 데 중요한 기술적 토대를 제공했다.
김 상무는 반도체 트랜지스터 공정 및 물질과학 연구로 세계 3대 반도체학회인 VLSI, 국제전기전자공학회(IEEE) 전자소자학회(Electron Devices Society) 등 국제학계에서 성과를 거뒀다. 2023년에는 선단 로직 소자의 핵심 기반이 되는 에피택시 기술 혁신으로 IR52 장영실상을 수상했다.
또한 국내 첨단파운드리 기술분야에서 2나노 GAA 공정 개발을 주도하며 차세대 선단공정의 기술적 완성도와 신뢰성을 높였다. 이 과정에서 국내외 장비·소재 기업과의 공동 개발을 적극 추진, 관련 기업들의 기술 수준을 함께 끌어올려 글로벌 경쟁력을 갖춘 공급망 구축에도 기여했다.
한국반도체학술대회 상임운영위원회는 세계적인 반도체 연구자인 강대원 박사의 업적을 재조명하기 위해 2017년 상을 처음 제정했다. 강 박사는 미국 벨연구소에 입사해 1960년 이집트 출신 아탈라 박사와 트랜지스터 모스펫(MOS-FET)을 개발, 현대 반도체 기술의 핵심 토대를 마련했다. 또 플래시메모리 근간인 플로팅게이트를 세계 최초로 개발하기도 했다.
강대원상 시상식은 이날 오후 강원도 하이원그랜드호텔에서 한국반도체산업협회·한국반도체연구조합·서울대학교가 공동 개최하는 ‘제33회 한국반도체학술대회(KCS 2026)’ 개막식에서 진행된다. 27일부터 나흘간 열린 이번 학술대회는 삼성전자·SK하이닉스 등 기업인, 산학연 전문가, 학생 4500여명 모였으며 역대 최대 규모인 약 2000편의 논문이 발표됐다.