삼성전자는 29일 지난해 4분기 실적발표 기업설명회에서 “HBM4는 주요 고객사들의 요구 성능이 높아졌음에도 재설계 없이 지난해 샘플을 공급한 이후 순조롭게 고객 평가가 진행되고 있다”며 “현재 퀄리피케이션 완료 단계에 진입했다”고 밝혔다. 이어 “2월부터 최상위 속도 11.8Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량을 양산 출하할 예정”이라고 말했다.
차세대 제품인 HBM4E는 올해 중반 스탠다드 제품을 중심으로 고객사에 샘플을 제공한다. HBM4E 코어 다이 기반 맞춤형 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 웨이퍼 초도 투입이 이뤄질 계획이다.
차세대 적층 기술로 꼽히는 하이브리드 커퍼 본딩 기술과 관련해서는 “지난해 4분기 HBM4 기반 샘플을 주요 고객사에 전달하며 기술 협의를 시작했다”며 “HBM4E에서 일부 사업화를 계획하고 있다”고 설명했다.
삼성전자는 HBM 사업 전망에 대해 “2026년 당사 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 것”이라며 “현재 기준으로 준비된 생산능력은 고객사들로부터 전량 확보를 완료했다”고 강조했다. 단기적으로는 HBM3E 수요 대응력을 높이는 한편, HBM4·HBM4E를 위한 1c 나노 공정 캐파 확보 투자도 병행하고 있다.
다만 16단 스택 제품의 상용화에는 신중한 입장을 보였다. 삼성전자는 “HBM3E 또는 HBM4의 16단 제품은 현재 고객 수요가 매우 제한적”이라며 “올해 동일 용량의 HBM4E 12단 제품 샘플링 일정 등을 고려할 때 양산 사업화는 불필요하다고 판단하고 있다”고 밝혔다. 다만 고객 요구 변화에 대비해 16단 패키지 양산 기술은 이미 확보해 둔 상태라고 덧붙였다.
올해 메모리 설비투자는 전년 대비 크게 늘어날 전망이다. 삼성전자는 “AI 수요 강세 장기화 가능성에 대비해 신규 팹에 대한 선제 투자를 진행하고, 수요 확대 시점에 맞춰 설비 투자를 신속히 집행할 계획”이라며 “D램은 1c 나노, 낸드는 V9을 중심으로 선단 공정 캐파 확보를 가속화할 것”이라고 말했다.
파운드리 사업에서는 AI와 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 성장 기대감을 나타냈다. 삼성전자는 “올해 2나노 수주 과제는 전년 대비 130% 이상 증가할 것으로 기대한다”며 “하반기 양산을 목표로 2나노 2세대 공정의 수율과 성능 목표 달성에 집중하고 있다”고 밝혔다. 1.4나노 공정은 2029년 양산을 목표로 개발 중이며, 2027년 하반기에는 공정설계키트(PDK) 1.0을 고객사에 제공할 계획이다.
정재홍([email protected])