SK하이닉스는 지난 2024년 7월 1기 팹의 초기 인프라 구축 등에 9조4000억원을 투자하기로 한 데 이어 두 번째 대규모 자금 집행을 결의했다. 이번 추가 투자로 용인 클러스터 1기 팹 건설에 투입되는 시설 투자 총액은 약 31조원 규모로 늘었다.
이는 1개 팹 조성을 위한 건설 투자비로, 향후 투자가 필요한 사안이 더 남았다. 팹 1기당 총 6개의 클린룸이 들어가는데 이 곳에 첨단 반도체 장비를 채우는 데에는 별도로 약 120조원이 필요할 전망이다. 결국 팹 1기를 온전히 가동하기 위해선 건설비(약 30조원)와 장비 투입비(약 120조원)를 합쳐 총 150조원이 소요될 것으로 집계된다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡(약 60만평) 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 계획이며, 총 투자 비용은 600조원으로 추산된다.
지난해 2월, 1기 팹 착공을 시작한 SK하이닉스는 당초 2027년으로 예정했던 1기 팹의 준공·가동 시점을 최대한 앞당기기 위해 건설 속도를 한층 끌어올리고 있다. 반도체 업계는 이번 대규모 투자를 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 AI 메모리 수요에 민첩하게 대응하기 위한 조치로 보고 있다. 1기 팹에선 고대역폭메모리(HBM)를 비롯해 차세대 D램을 생산할 것으로 보인다.
이우림([email protected])