화웨이 “TSMC와 격차 좁힐 기술 개발 성공…2031년 1.4나노 칩 양산”
화웨이 자회사 하이실리콘의 칩 모형. 하이실리콘 홈페이지 캡처
25일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 화웨이 반도체 설계 자회사 하이실리콘의 허팅보 사장은 이날 열린 반도체 콘퍼런스에서 자체 개발한 ‘로직폴딩(LogicFolding)’ 기술을 활용해 2031년까지 1.4나노미터 칩 생산에 돌입하겠다고 발표했다.
TSMC는 같은 수준의 제품을 2028년부터 양산할 계획이라고 밝힌 바 있다.
허 사장은 발표에서 “지속 가능한 진화를 위한 새로운 방법을 찾았다”며 “네덜란드 ASML의 첨단 극자외선(EUV) 노광 장비 없이도 반도체 제조 역량을 크게 향상시킬 수 있다”고 강조했다.
화웨이는 올가을 출시 예정인 ‘키린(Kirin)’ 모바일 칩에 처음으로 로직폴딩 아키텍처를 적용할 예정이다. 이 기술은 칩 내 트랜지스터 집적도를 높이고 데이터 전송 효율을 개선해 성능을 끌어올리는 방식으로 알려졌다.
허 사장은 “올해 업계 전체를 놀라게 할 무언가를 준비해왔다”며 “단순한 개선이 아닌 거대한 도약이 될 것”이라고 말했다.
관련 발표 이후 하이실리콘의 파운드리 파트너인 중국 SMIC 주가는 이날 18% 넘게 급등했다.
업계에서는 현재 TSMC의 기술력이 화웨이·SMIC보다 약 5년 앞서 있다는 평가가 지배적이다. 다만 화웨이가 실제로 1.4나노 칩 양산에 성공할 경우, EUV 장비가 5나노 이하 공정에 필수라는 기존 반도체 업계의 통념을 뒤흔들 수 있다는 분석이 나온다.
정재홍([email protected])