삼성, HBM5 첫 공개…“2나노·열관리 기술로 승부”

삼성전자가 2일(현지시간) 개막한 '컴퓨텍스 2026'에서 공개한 8세대 고대역폭메모리 HBM5 실물 모형. 사진 삼성전자

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 실물 모형을 처음 공개하며 AI 메모리 시장 선점에 나섰다. 최근 HBM4 양산과 HBM4E 샘플 공급에 이어 HBM5 청사진까지 공개하며 차세대 HBM 경쟁에서 기술 주도권 확보에 속도를 내고 있다.

송재혁 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 2일 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 “삼성전자가 그래왔듯 기술로는 1위를 달성할 것”이라며 “AI 시대에는 메모리와 위탁생산(파운드리), 로직, 패키징을 모두 아우르는 종합 솔루션 경쟁력이 중요하다”고 말했다.

삼성전자는 이날 8세대 HBM인 HBM5 실물 모형(목업)을 처음 공개했다. HBM5에는 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)가 처음 적용될 예정이다.

AI 반도체 성능 경쟁이 치열해지면서 발열 제어는 차세대 HBM의 핵심 경쟁력으로 꼽힌다. HPB는 HBM 내부 다이 간 연결 영역에서 발생하는 열을 효율적으로 분산·방출하는 기술이다. 송 사장은 “고객이 요구하는 메모리 대역폭을 높이는 과정에서 특정 영역에 발열 문제가 발생할 수 있다”며 “일종의 굴뚝 역할을 하는 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다”고 설명했다.

삼성전자는 HBM5에 10나노급 6세대(1c) D램과 2나노 베이스 다이를 적용할 계획이다. 특히 베이스 다이부터 코어 다이, 패키징까지 자체 기술로 최적화할 수 있다는 점을 경쟁력으로 내세웠다. 경쟁사들이 외부 파운드리 공정을 활용하는 것과 달리 삼성은 메모리와 위탁생산 사업을 모두 보유하고 있어 설계부터 생산, 패키징까지 통합 최적화가 가능하다는 설명이다.

7세대 HBM4E도 함께 공개했다. 삼성전자는 지난달 업계 최초로 HBM4E 샘플을 고객사에 공급했다. HBM4E는 최선단 1c D램과 자체 4나노 베이스 다이를 결합해 핀당 최대 16Gbps, 최대 4TB/s 수준의 대역폭을 구현했다.

업계에서는 HBM5부터는 열관리 기술이 HBM 경쟁력을 좌우하는 핵심 변수로 떠오를 것으로 보고 있다. SK하이닉스 역시 최근 HBM5용 열관리 기술을 공개하며 차세대 제품 개발에 속도를 내고 있다. AI 반도체 수요 확대에 맞춰 차세대 HBM 시장을 둘러싼 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 경쟁도 한층 치열해질 전망이다.



박영우([email protected])