삼성전자가 지난달 2일 개막한 '컴퓨텍스 2026'에서 공개한 8세대 고대역폭메모리 HBM5 모형. 사진 삼성전자
삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM5에 최선단 2나노 공정을 적용해 성능을 대폭 끌어올리겠다는 계획을 공개했다.
삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 구자흠 부사장은 27일 자사 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 "HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다"며 "베이스 다이에는 동작 속도와 전력 효율을 크게 개선할 수 있는 최선단 공정을 적용할 예정"이라고 밝혔다.
구 부사장은 HBM5 베이스 다이에 게이트올어라운드(GAA) 구조를 적용한 2나노 공정을 도입하고, 더 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극) 기술도 구현할 계획이라고 설명했다.
삼성전자는 HBM의 설계부터 제조, 패키징까지 모두 자체 수행하는 턴키 솔루션을 강점으로 내세웠다. 구 부사장은 "설계 단계부터 최적화가 가능해 양산 제품 완성 기간을 단축할 수 있고 비용 경쟁력도 높다"고 말했다.
파운드리 사업 경쟁력에 대해서는 세계 최초 GAA 기반 3나노 공정 양산에 이어 지난해 하반기 2나노 1세대 공정 양산을 시작했으며, 올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반 모바일 제품 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.
또 모바일 고객사뿐 아니라 테슬라를 비롯해 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC), 클라우드서비스제공사(CSP) 등 대형 고객사 수주도 잇따르고 있다고 전했다.
구 부사장은 "4나노 공정 역시 다년간의 양산 경험을 바탕으로 안정적인 수율과 성능 경쟁력을 확보했다"며 "선단 공정 기술력을 기반으로 파운드리 시장 점유율을 지속 확대해 나가겠다"고 말했다.
정재홍([email protected])