전문가 "ASML 수준 도달하려면 3∼4년"…"EUV 개발은 쉽지 않아"
中 DUV 생산 쇼크 확산…ASML과 격차·특허침해 가능성 주목
전문가 "ASML 수준 도달하려면 3∼4년"…"EUV 개발은 쉽지 않아"
(베이징=연합뉴스) 김현정 특파원 = 중국이 자체 개발한 심자외선(DUV) 노광장비 생산에 착수했다는 소식이 전해지면서 중국의 반도체 장비 국산화 진전 상황에 대한 관심이 커지고 있다.
일각에서는 업계 선도 기업인 네덜란드 ASML의 동종 제품 성능과 3∼4년가량 기술 격차가 벌어져 있을 것이라는 평가와 함께 추후 관련 특허 침해 소송에 휘말릴 수 있다는 관측도 제기된다.
29일 싱가포르의 중국 일간지 연합조보는 소식통을 인용해 중국이 국영 기업을 통해 생산 중인 것으로 알려진 침지식 DUV 노광장비는 추가적인 성능 테스트가 필요하며, ASML의 기존 모델에 비해 크게 뒤처져 상업적 위협이 되지 않는다고 보도했다.
싱가포르경영대학의 푸팡젠 부교수는 연합조보와의 인터뷰에서 "신규 장비는 여러 테스트를 거쳐야 하고 품질 개선도 필요할 것"이라며 "ASML DUV 노광장비 수준의 품질까지는 3∼4년이 더 소요될 것"이라고 설명했다.
DUV 노광장비는 반도체 웨이퍼에 미세한 회로를 새기는 핵심 장비다. 중국은 미국의 수출통제로 ASML의 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하지 못하고 있어 액침 DUV 노광장비는 중국 반도체 제조업체가 활용할 수 있는 최고 수준의 상용 장비로 꼽힌다.
JP모건은 전날 보고서에서 중국의 관련 기업이 수율·정확도·처리량·신뢰성 등을 확보한 뒤에야 의미 있는 대량 생산이 가능할 것으로 봤다.
중국이 당분간은 미국산 고성능 반도체 도입을 병행하며 기술 자립을 준비해야 한다는 주장도 나온다.
대만 내에서는 중국이 DUV 노광장비를 생산한다면 장비 국산화에 상당한 진전을 이룬 것이라는 평가와 함께 ASML의 특허를 침해했을 수 있다는 지적이 제기됐다.
대만 중시신문망은 현지 반도체 원로 고문의 설명을 인용해 이번에 개발된 장비가 TSMC와 ASML이 구축한 광범위한 특허망을 침해했을 가능성이 높다고 지적했다. 특히 ASML이 생산 기업을 상대로 소송을 제기할 가능성에 주목해야 한다고 강조했다.
중국의 DUV 노광장비 국산화가 성공하더라도 상위 장비인 EUV 노광장비 개발 가능성은 높지 않다는 분석도 나온다.
이 고문은 "EUV 노광장비는 파장이 훨씬 짧고 노광 방식도 다르기 때문에 개발 난도가 DUV보다 훨씬 높다"며 "네덜란드가 개발한 EUV 노광장비는 영국, 독일, 오스트리아 등 유럽 여러 나라가 핵심 부품 개발에 참여한 결과물인 만큼 중국 혼자서는 구현하기 어렵다"고 진단했다.
미국의 추가 대응 여부도 중국 반도체 분야의 추후 기술 진전에 영향을 미칠 전망이다.
대만 정보산업연구소(MIC) 산업정보연구소의 훙춘후이 소장은 중시신문망에 "(DUV 노광장비 국산화 소식이) 미국을 자극할 경우 미국이 네덜란드·일본과 함께 생산에 필요한 장비나 부품에 대한 추가 수출 규제를 추진할 가능성이 있다"며 "DUV 노광장비에는 여전히 중국이 완전히 자체 생산하지 못하는 핵심 부품이 포함돼 있기 때문"이라고 부연했다.
이에 앞서 미국 정보기술(IT) 전문매체 디인포메이션은 지난 27일(현지시간) 소식통을 인용해 상하이의 한 국유기업이 자체 개발한 액침 DUV 노광장비 생산을 시작했다고 보도했다.
이 기업은 올해 약 5대, 내년에는 약 20대를 생산하는 것을 목표로 하고 있으며, 올해 안에 중신궈지(SMIC), 화훙반도체, 창신메모리(CXMT) 등 중국의 주요 반도체 제조업체에 장비를 공급할 계획인 것으로 전해졌다.
로이터통신은 이어 해당 업체가 2023년 설립된 '상하이 아이성나(愛晟納) 전자기술그룹'으로 상하이전기홀딩스와 상하이국제신탁 계열사 등 국유기업이 지분을 보유하고 있다고 보도했다.
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김현정